|
|
 |
|
 |
IRF6603 SYN FET HEXFET POWER MOSFET Position: ... Aktive Bauelemente - Markensortimente > International Rectifier |
|
|
|
 IRF6603 SYN FET HEXFET POWER MOSFET - mehr Infos & bestellen...
Sie haben das 'ENERMAX NETZTEIL 460W EG465AX-VE (W) FCA' ausgewählt. Dieses können Sie hier direkt online bestellen und günstig kaufen. Klicken Sie einfach oben auf das Bild oder den Bestell-Link und schon befindet sich das 'IRF6603 SYN FET HEXFET POWER MOSFET' in Ihrem Warenkorb. Sie können dieses aber später auch wieder aus Ihrem Warenkorb entfernen sofern Sie Ihre Bestellung noch nicht abgeschlossen haben.
Hier noch eine detaillierte Produktbeschreibung zum Artikel 'IRF6603 SYN FET HEXFET POWER MOSFET':
Die neuen IRF6608 und IRF6618 MOSFETs im DirectFET™- Gehäuse bieten Entwicklungsingenieuren eine revolutionaere Lösung fuer die Wärmeableitung auf kleinstem Raum, bei gleichzeitiger Steigerung der Effizienz und der Stromfestigkeit. Entwickelt auf der Basis von International Rectifiers bahnbrechender DirectFET™- Gehäuse- Technologie sowie der neuesten MOSFET- Technologie, bieten diese Komponenten ein bislang unerreichtes Leistungsniveau und eine unübertroffene Leistungsdichte. Die Vorteile auf einen Blick: · Geringste Leistungsverluste im synchronous- Betrieb · Geringste Leistungsverluste im control- Betrieb · Einsetzbar für ein- bzw. doppelseitige Kühlung · Bis zu 2 MHz Betrieb in Verbindung mit einer 4oz (120 g) Cu PCB · Betriebstemperatur 50 ºC niedriger als bei einem SO- 8 Bauteil bei gleichem Strom. · 2 DirectFET™- MOSFETs liefern bis zu 30 A/Phase in einem synchronous buck converter · 88 % Effizienz bei voller Last (105 A) bei 500 kHz · Entwickelt für 105 A VRM10.x Umgebungen Eigenschaften IRF6608 · Control- MOSFET, bietet die kleinste Gehauesegrösse bei maximaler Leistungsdichte. · 50 % kleiner als Standard SO- 8 Gehäuse. · Bis zu 20 % besserer RDS(ON)- Wert bei gleichzeitig reduzierter Gate- and Gate- to- Drain charge. Eigenschaften IRF6618 · Synchronous MOSFET in DirectFET package. · Typischer RDS(ON)- Wert von 1.7 mW und max. von 2.2 mΩ. Beispiele: Bauteilbezeichnung IRF6608 · Outline 4,8 x 3,8 mm DirectFET · Funktion: Control FET · RDS(on) @ 10 V 9 mΩ · RDS(on) @ 4,5 V 13 mΩ · VGS 12 V · ID @ TCASE 25 ºC 52 A · QG typ. 15 nC · QGD typ. 4,9 nC. Bauteilbezeichnung IRF6618 · Outline 6,3 x 4,9 mm DirectFET · Funktion: Sync FET · RDS(on) @ 10 V 2,2 mΩ · RDS(on) @ 4,5 V 3,4 mΩ · VGS 20 V · ID @ TCASE 25 ºC 150 A · QG typ. 46 nC · QGD typ. 15 nC.
1 ST - EUR 2,38
ab 1 ST - â EUR 2,38
ab 25 ST - â EUR 2,14
ab 100 ST - â EUR 1,88
Wir hoffen das der Artikel IRF6603 SYN FET HEXFET POWER MOSFET Ihren Vorstellungen entspricht, Sie alle Informationen gefunden haben welche Sie suchten und dass unser günstiger Preis von 2,38 2,14 1,88 Euro Sie überzeugen konnte. Und nun viel Spass beim Einkaufen oder Stöbern! |
|
|
|
|
|
|
